据彭博社报道，SK海力士已在印第安纳州为其投资40亿美元的先进存储芯片封装工厂举行奠基仪式，并计划于2029年下半年开始量产下一代高带宽内存（HBM）。该工厂将聚焦存储器封装环节，而封装是HBM堆叠、硅中介层集成及热管理等关键工艺所在，直接影响AI加速器和高性能计算芯片的性能释放。SK海力士是当前AI服务器HBM市场的核心供应商之一，此次在美国建设先进封装产能，意味着其将部分后端制造能力部署到美国本土，有助于贴近主要AI芯片客户及供应链，也反映出全球半导体制造在地化与分散化的趋势。随着生成式AI训练和推理需求持续增长，HBM的产能、良率和封装技术正成为竞争焦点。若该工厂按计划在2029年下半年量产，将进一步巩固SK海力士在下一代高带宽存储领域的技术与产能布局。